上海证券公司联盟

亮剑!国运之战:第七章

科技红利及方向型资产研究2019-02-10 15:42:04

 

中国半导体产业的思考-随笔之《亮剑》

 

第七章

 

亲,为了种花家,不要哭。。。

自从台积电打断种花家半导体DRAM崛起的历史进程后,中国集成电路芯片进口金额每年持续大幅度攀升,2010进口金额首次超过1500亿美金同比增长超过30%2013年首次突破2000亿美金相比较2010年,增长92.9%2013-2016年,连续四年中国集成电路芯片进口金额在2100-2300亿美金之间,预计2017年中国芯片进口金额将超过2500亿美金。

 

图:中国芯片进口金额连续四年突破2000亿美金

 

                        

 中科院院士邹世昌的一句话:中国芯片进口超过石油,第一次引发人们对于集成电路芯片产业的极大关注。2014-2016年连续三年,中国芯片进口金额超过石油,成为中国第一大进口商品,截止到2016年,中国集成电路进口金额将近2300亿美金,是石油进口的2倍。

 

图:中国集成电路芯片进口金额是石油的两倍


 

自从台积电打断种花家半导体DRAM崛起的历史进程后,201011号,中芯国际全面放弃DRAM存储器芯片之后,当年度中国存储器芯片进口金额首次突破250亿美金,存储器芯片进口金额占比中国进口集成电路芯片的比例一举超过15%。随后数年内中国存储器芯片进口金额大幅提升,2013中国存储器芯片进口金额超过460亿美金,相较于2010年,增长84%,而同一时期的2010-2013年,中国集成电路芯片进口金额增长仅30%

2014中国存储器芯片进口金额超过560亿美金,相较于2010年,增长124%。至2016年,中国半导体存储器芯片进口金额预计超过680亿美金,相较于2010年,也就是台积电打断种花家DRAM产业崛起的历史进程时,增长278%,存储器芯片进口占比中国集成电路芯片进口比例提高到30%

 

 

亲,为了种花家,不要哭。。。

历史走进了2010-2017年,这是所有中国人的新时代,更是中国半导体人的新时代。全球半导体产业之新时代的格局悄然来临。

 

中国人在半导体集成电路芯片领域的“第二次大投入”,党中央高瞻远瞩,国家大基金布局全产业链,中国人在全球DRAM战争舞台上的第二次亮剑-兆易创新,合肥亮剑。

 

中国大陆是全球最大电子产品制造国,中国大陆也是全球最大消费市场。2016年中国大陆生产3.3亿台电脑,21亿部手机(其中15亿台智能手机),1.8亿台平板电脑,其中芯片成本占比电子整机成本比例在30-70%,以iPad为例,芯片占比电子整机成本将近50%,而存储器芯片更是其中的大头,然而中国超过90%的存储器芯片需要进口,过去数年中国进口存储器芯片从461亿、562亿增加到2016年的680亿美金。

过去三年全球半导体存储器芯片产值在720-770亿美金之间,占据全球半导体总产值的25-30%之间,2017年“剪刀差”形成后,存储器芯片的产值和占比呈现加速上行趋势,预计2017年存储器芯片产值将超过1200亿美金,占比全球半导体产值超过30%DRAM芯片全球市场规模在420-450亿美金之间,预计2017年,将超过720亿美金,同比增长超过65%。中国每年进口DRAM约为150-220亿美金,2017年预计将超过300-350亿美金。全球DRAM被韩国三星、SK海力士和美国镁光三家垄断,份额将近93%。中国DRAM芯片将近90%来自进口,剩下10%的国产化也是掌控在SK海力士等外资手里。

华为、中兴、小米、联想等中国手机和计算机厂商经常遇到DRAM缺货情况,而在中国国内几乎根本无法实现本土化自主替代。更为严重的是,20163月美国政府下令制裁中兴通讯,禁止美国厂商给中兴通讯提供芯片,这种情况让人不寒而栗。国之命脉岂可操控于他人之手?

 

2012-2017年,中国正式确立人民领袖习主席为核心的党中央,这是所有中国人的新时代,开启了所有中国人实现中华民族伟大复兴的“中国梦”



2013年初,全国政协43位委员提出优化集成电路产业布局提案,党和国家领导人高度重视,习主席作出重要批示

20139月,国务院副总理马凯连续多日在深圳、杭州、上海、北京调研,指出加快推动我国集成电路产业发展是党中央作出的战略决策。

2013年底,北京先行先试,推出北京市集成电路产业发展股权投资基金,总规模300亿元,一期90亿元。

20146月,党中央成立了国家集成电路产业发展领导小组624号,国务院发布《国家集成电路产业发展推进纲要》。《纲要》称对国家集成电路产业要加强组织领导,为此将成立国家集成电路产业发展领导小组,国务院副总理马凯担任组长。

20148月,习主席指出:我们确定要抓紧实施已有的16个国家科技重大专项,进一步聚焦目标、突出重点,攻克高端通用芯片、集成电路装备、宽带移动通信、高档数控机床、核电站、新药创制等关键核心技术,加快形成若干战略性技术和战略性产品,培育新兴产业。

2014924号,国家大基金发起成立。1014日,工信部办公厅发布《国家集成电路产业投资基金正式设立》的文件。国家大基金正式设立,丁文武先生担任总经理。

国家大基金成立正式标志着中国人开启了在半导体集成电路芯片领域的“第二次大投入”。2014-2016年三年以来,中央和各省市合计预期投入的金额规模超过4650亿元,而2016年中国国内半导体集成电路产值也才4300亿,“第二次大投入”的力度远超过当年的第一次大投入,不破楼兰誓不还。

 

图:2014-2016年以来中国相关集成电路产业基金汇总


2016109日,中共中央政治局就实施网络强国战略进行第三十六次集体学习。人民领袖习主席在主持学习时强调,要紧紧牵住核心技术自主创新这个“牛鼻子”,抓紧突破网络发展的前沿技术和具有国际竞争力的关键核心技术,加快推进国产自主可控替代计划,构建安全可控的信息技术体系。习主席在网络安全和信息化工作座谈会上指出,核心技术是国之重器关键核心的技术要立足自主创新、自立自强

2016年,党中央发布半导体集成电路芯片的《十三五发展纲要》,提出了集成电路芯片国产自主化目标和路线。

 

为此,中国半导体工业崛起,建立完整的、具有独立自主核心技术体系,中国半导体DRAM芯片第二次亮剑,具备“天时、地利、人和”三要素。

 

天时:2016-2017半导体硅片需求和供给剪刀差形成;2017-2020年,第四次全球半导体硅含量提升周期到来,物联网、汽车、工业、5G通信等将进一步驱动全球半导体工业产值突破4000亿、5000亿美金关口。

 

“剪刀差”和第四次硅含量提升,构成全球半导体产业超级周期的到来,对中国半导体工业而言,这是“新时代”赋予中国半导体人的最大的历史机遇

 

2016-2017年,硅片需求和供给“剪刀差”正式形成,开启了至少8年难得一遇的景气大年。

 

图:半导体硅片需求和供给剪刀差2016-2017


每一次的全球半导体硅含量提升周期都驱使着全球半导体产业的高速成长,每一次全球半导体硅含量提升都驱使着全球半导体产业突破一个“千亿美金”的关口。

 

图:1965-2017年全球半导体产值Vs全球半导体硅含量


 第一个周期,60年代到90年代全球半导体的硅含量从2%提高到23.1%,下游需求推动的力量是大型机、小型机、PC 电脑等。这一时期全球半导体销售产值从5亿美金到首次突破1000亿美金大关。

第二个周期,2000-2008年全球半导体的硅含量从17.3%提高到22.4%,下游需求推动的力量是笔记本、2G/3G通讯以及家电等。这一时期全球半导体销售产值首次突破2000亿美金大关。

第三个周期,2010-2016年全球半导体硅含量从21.1%提高到26.4%,下游需求推动的力量是智能手机为代表的移动互联网终端。这一时期全球半导体销售产值首次突破3000亿美金大关。

第四个周期,2017-2020年我们即将进入第四个全球半导体硅含量提升周期,这次硅含量的提升将突破30-35%,下游需求的推动力量是汽车、工业、物联网、5G通讯等,我们预计2017年全球半导体销售产值有望突破4000亿美金,我们预计2020年全球半导体销售产值首次突破5000亿美金大关。

 

地利:中国大陆是全球最大的消费级市场,国产化自主替代空间巨大,广阔的中国大陆市场战略纵深,我们是本土作战。

 

广阔的中国大陆市场战略纵深,将为“人民的子弟兵”(中国半导体集成电路芯片企业)提供“人民战争”之本土作战的有利条件。

中国是全球最大的消费类电子产品制造基地和最大集成电路芯片需求市场,中国大陆生产全球70-80%的消费类电子产品,比如智能手机出口占据全球81%,液晶电视占据全球56%,笔记本电脑占据全球70%,数码相机占据全球74%,对集成电路芯片产品需求全球第一。

 

图:中国电子产品占比全球70-80%

 

2015年以来,中国半导体集成电路需求位居全球第一,占比达29%,比第二名的美国市场高出8个百分点。但是中国半导体产业供需严重不匹配,供给方面,中国大陆供给占比全球的市占率仅为4%,供需缺口巨大。

 

图:中国芯片供需缺口巨大


 根据国家集成电路芯片十三五规划,2020年中国大陆集成电路芯片产业内需市场自主生产制造率将达40%2025年将更进一步提高至70%,国产化、自主化空间巨大。

 

人和:将近800万本科生、450万研究生、海外留学生回归、80-120万半导体专业人才,这是中国科技创新,从“工程师红利”向“科技红利”转型的人才资源保证!

 

中国半导体集成电路芯片领域的“第二次大投入”是党中央十年布局的厚积薄发,最关键的一个指标就是高素质的科技人才培养。高素质科技人才的培养和积累在全球科技产业链中的重要性,我们在《科技红利大时代系列》报告中,进行专门的论述。

回顾当年1999年高考大扩招,不禁感慨唏嘘。十年时间,在中国出生人口低潮的时期,党中央不能不说是国手布局,通过持续十五年以来高考大扩招,不仅为中国科技行业储备了大量的基础人才,也为中国“工程师红利”向“科技红利”转型打下坚实的二次升级基础2015年中国高等教育毕业生数量超过美国,这为未来下一阶段的全球科技行业竞争,以及科技行业全球产业链竞争中占了先机。

2004年中国本科招生人数从239万人迅速扩张到2015年的750万人。也正是这一年,中国加入WTO,也正是这一年,中国开启研究生招生的大扩招。2004年中国研究生毕业数量是15万人左右,到2015年研究生毕业数量达到55万人左右,研究生占比本科毕业生比例在7%左右。

 

 

十年间,中国累计培养的研究生数量超过452万人,这是中国科技创新,从“工程师红利”向“科技红利”转型的人才资源保证!

2004年中国理工类研究生数量是11.7万,占研究生总数比例是78.12%,随着扩招,以及加入WTO后对于复合型人才的需求,理工类研究生比例维持在60%左右。

 


20039月,国家正式成立9个国家集成电路芯片(IC)人才培养基地:清华、北大、复旦、浙大、华中科大、上海交大、东大、西安电子科大、成都电子科大。

十年时间,452万研究生,如果我们按照一级学科-电子科学与技术,二级学科-微电子学与固体电子学进行测算,半导体集成电路芯片领域研究生占比10-15%,就是45.2-67.8万人,考虑微电子学专业本科生,我们预计中国半导体集成电路专业人才将近80-120万人。这已经基本具备“科技红利”转型的人才基础,这也是中国集成电路芯片领域开启“第二次大投入”最关键的生产力和核心资源。

 

亲们,种花家鼓励和欢迎所有心怀“中国梦”的海外游子,亲们,回来吧。梁园虽好,非久恋之乡。

新中国成立以来,中国三次大规模的留学生“回国潮”,第一次是1950-1965年,大量留学生积极回国参与新中国的建设,老一辈中国半导体人为成功研制原子弹、氢弹、核潜艇、导弹、卫星等国之重器做出了巨大的贡献。第二次大规模的留学生“回国潮”是1992年小平同志南巡之后。

2000年以来,特别是中国共产党18大以来,中国形成留学生人才最大规模的“回国潮”。2000年中国留学生回国人员仅仅只有9121人,18大以来的2012-2016年,中国留学回国人员总数超过265.11万人2013年当年度就有超过35.35万留学生回国,到2016年就有超过43.25万留学生回国,较2012年增长15.96万人,增幅58%2000-2016年这是中国第三次大规模的留学生“回国潮”。


新中国成立以来的三次大规模留学生“回国潮”,不仅是老一辈种花家半导体人,也是新一代种花家半导体人的个人追求与祖国命运的统一,是个人的梦想与强国梦、中国梦的高度契合。

新中国的成立是中华民族伟大复兴最关键的转折点,中华民族伟大复兴事业的发展需要每一位种花家半导体人的努力和奋斗,从黄昆、谢希德、王守武、林兰英、李志坚等老一辈半导体人;再到江上舟、王阳元、郑敏政、马启元、梁胜等第二代半导体人;再到张汝京、王宁国等海外游子归国的赤子之心;再到王曦、朱一明等新一代半导体人,他们的追求正是为报效祖国,他们的梦想就是为实现中华民族的“强国梦”、“中国梦”而努力奋斗。


20121129日在国家博物馆,人民领袖习主席参观“复兴之路”展览,第一次阐释“中国梦”概念。他说:“大家都在讨论中国梦。我认为实现中华民族伟大复兴就是中华民族近代以来最伟大的梦想。”习主席说道,到中国共产党成立100年时全面建成小康社会的目标一定能实现,到新中国成立100年时建成富强民主文明和谐的社会主义现代化国家的目标一定能实现,中华民族伟大复兴的梦想一定能实现。

“中国梦”把国家、民族和个人作为一个命运的共同体,把国家利益、民族利益和每个人具体利益都紧紧联系在一起。

从“强国梦”到“中国梦”,既是一种延续也是一种发展。中国梦的目标更加宏伟辉煌,激荡着所有种花家半导体人的心。

透视新中国成立以来的三次大规模留学生“回国潮”,让我们看到新中国成立、改革开放和中国梦的强大感召力,让我们看到身处不同年代的海外学子相同的价值追求,更让我们看到海外学子顽强拼搏、爱国报国的炽热情怀。

 

另一方面,全球集成电路领域的华裔人才越来越多。从ISSCC国际技术委员会ITPC成员中华人人数来看,华人成员占有相当份额,且人数不断增多, 2015年大约有22人,约占ITPC总人数13%

 

图:ISSCC国际技术委员会成员中的华人人数


 20182月召开的ISSCC国际固态电路研讨会,中国有14篇论文入选,仅次于美国、韩国和中国台湾省,首次超越日本的13篇,位居全球第4

 

图:ISSCC入选论文:2018年中国入选14篇,仅次于美国、韩国和中国台湾省


 

国际固态电路研讨会(International Solid-State Circuits ConferenceISSCC),国际半导体与芯片系统之产学研专家进行顶尖技术交流之“华山论剑”,是全球先进半导体与固态电路领域研发趋势的高端论坛,为国际半导体公司首次发表最新芯片之唯一国际学术研讨会,在全球半导体产学研中具举足轻重地位,因此有半导体集成电路芯片设计领域的奥运会之美称。

 

人民领袖习主席在2015年互联网大会上,提到的五点关于互联网的建议,再一次强调了国家对集成电路发展的重视,无论是加快全球网络基础设施建设,还是促进各种网络平台的发展,所有这些从技术层面来讲,最最核心的,最基本的元器件都是集成电路。由集成电路带来所有其他技术的变化,让互联网的治理更加法制化,让安全得以保障,让频谱计算能力增强,所有这些变化都是在集成电路发展的基础上实现的

 

2014年至今中国半导体集成电路芯片领域“第二次大投入”战略,从中央到地方,从产业到企业,每一个种花家半导体人团结一致,为实现中国半导体工业崛起而奋勇前行。

第一,国家力量。2013年初政协43位委员提出优化集成电路产业布局提案,引起了党和国家领导人的高度重视,习主席作出重要批示。2014年党中央成立了国家集成电路产业发展领导小组,统筹一切。

第二,指导路线。《国家集成电路产业发展推进纲要》和《集成电路十三五规划》为指导路线,推进和加快中国半导体集成电路芯片领域的国产化和自主化过程。

第三、举国体制。人民领袖习主席说过“发挥市场经济条件下新型举国体制优势,集中力量、协同攻关”

2014年以来成立国家大基金以及地方相关产业投资基金,协调全社会一切力量,重点项目重点攻关。截止到20176月,国家集成电路产业投资基金(大基金)公布两年投资情况,基金运作包含两部分。一是大基金,2014 9 24 日大基金成立,初期规模 1200 亿元,截止 2017 6 月规模已达到 1387 亿元。二是地方资本,截止 2017 6月,由大基金撬动的地方集成电路产业投资基金达 5145 亿元,加上大基金,中国大陆目前集成电路产业投资基金总额高达 6532 亿元。

 

每一次全球半导体硅含量提升周期,都会诞生一些伟大的半导体公司,也会有一些曾经伟大的公司消失于半导体工业的历史长河之中。每一次半导体硅含量提升周期,推动着全球半导体工业的向前发展,也反映了步入“硅文明”时代的人类社会对存储芯片需求的大幅度提升过程,存储器芯片,当之无愧成为全球半导体工业历史长河中的弄潮儿。

 

图:全球半导体硅含量Vs全球存储器产值

 

人民领袖习主席强调:集成电路装备及芯片为保障国家信息安全提供重要支撑。

2016年,国家大基金总经理丁文武先生表示,大基金接下来需要关注三大问题,第一位就是存储器战略。关于中国存储器芯片战略,丁文武表示:巨大的市场需求是存储器发展的最大动力,信息安全和产业安全则是实施存储器战略的需求,中国必须发展自己的存储器,也有这个能力,否则永远依赖于人、受制于人。

没有存储器,我们就补短板。20157月,中国紫光向全球第三大DRAM厂商-镁光科技,提出230亿美金收购要约。结果被拒绝,理由是美国政府以信息安全方面的考虑阻挠这项交易。


2016年,人民领袖习主席在主持中央政治局集体学习时强调“加快推进国产自主可控替代计划”。将近半个世纪DRAM发展史,三次DRAM世界大战,让中国人看明白一件事情,没有完整的、独立自主核心技术的DRAM产业体系,就会永远受制于人

不准买,我们就独立自主,自己搞。从2016年起中国掀起了一场存储器芯片的投资热潮。紫光宣布投资240亿美金,在武汉建设国家存储器基地。晋华与联电合作投资370亿元,建设12寸晶圆厂。合肥长鑫投资494亿,2018年建成12寸晶圆厂。上述三大项目总投资超过2450亿人民币,约360亿美金。

 

截止到20176月,国家大基金一期的重点在制造,目前的投资中,制造的投资额占比为 65%、设计占 17%、封测占 10%、装备材料占 8%

中国人的“第二次大投入”,重点突破方向就是存储器芯片。2017-2018年中国大陆预计新增12寸产能89.5万片/月,是现有产能31万片/月的288%。其中三大存储器芯片产商,合肥长鑫(睿力)、长江存储、晋华集成,合计产能是48.5万片/月,占比新增产能54.2%

 

图:中国大陆三大存储厂占比新增产能54.2%


 至此,国家大基金为代表的投资布局正式形成了,中国人在半导体集成电路芯片领域“第二次大投入”中形成了以晶圆代工+存储器芯片为主的重装兵团

 

1950年的朝鲜战争是新中国的立国之战,奠定了新中国立国的基础。上甘岭,打出了中国人民为实现中华民族伟大复兴和崛起之视死如归、意志和决心

1950年的朝鲜战争,也开启了中国半导体人建立完整的、具有独立自主核心技术的新中国半导体工业体系的伟大征程。纵观全球半导体工业发展的60年历史,三次DRAM世界大战,DRAM内存就是全球半导体大国、强国崛起的“上甘岭”

 

上甘岭的亮剑精神,这是中国人的精神之魂、力量之源。敢于在“上甘岭”亮剑的企业,才有望成为中国半导体重装兵团的尖刀兵,带领中国半导体军团砥砺前行、破局突围。

宰相起于州郡、猛将发于卒武。英雄的尖刀兵,不是成长于温室的妇人之手,而是经历残酷市场搏杀的英雄好汉。

 

图:存储器芯片国产化的突破-兆易创新,引自魏少军先生报告

2010-2017年,全球半导体存储器芯片市场黑云压城、阴霾密布,海外巨头垄断全球,独霸中国市场的寡头时代,全球DRAM战争舞台风云变化,波云诡谲。奇梦达破产倒闭,尔必达被镁光收购,华邦电分拆新唐专注于存储器,微芯收购SSTISSI收购常亿、爱特梅尔出售闪存业务给Adesto,这只是全球DRAM战争残酷性的部分体现;更加让人惊心动魄的是东芝和SanDisk共同投资闪存晶圆厂,镁光和英特尔扩大NAND闪存领域合作,韩国SK电信和海力士强强联手成立SK海力士,三星宣布退出NOR FLASH业务并在西安新建NAND FLASH工厂。在全球DRAM战争舞台上,海外巨头们依靠技术、资金、产能等方面的诸多优势,操控全球存储器芯片市场、产品和技术发展趋势,垄断全球、独霸种花家。


然而,就在这样一个风云突变的战争环境下,来自中国大陆的一匹“土狼”,它高举着种花家本土品牌之半导体存储器芯片产业的大旗,杀入全球NOR FLASH闪存这个细分市场,在有镁光、飞索、赛普拉斯、旺宏、华邦电等强手如林的竞争中占据一席之地。2013年在取得NOR FLASH闪存第三名的优异成绩下,携自有品牌ARM产品线再次杀入同样是高手云集的微控制器市场MCU,打破由意法、德州仪器、NXP、飞思卡尔、爱特梅尔、芯科、飞索和新唐、合泰等江湖大佬独霸中国大陆市场的局面。

NOR FLASH到微控制器MCU,这匹土狼,它顽强不屈、拼搏不止,它“走位独特、步法风骚”,这就是,来自种花家的兆易创新GigaDevice),面对着海外巨头垄断全球,独霸种花家的局面,谱写一曲“景昃鸣禽集,水木湛清华”的新时代壮歌!

 

20054月份,在美国硅谷积累了存储器芯片设计丰富经验的清华学子,年仅33岁的朱一明返回种花家,成立北京芯技佳易,获得启迪之星投资。公司草创之初,朱一明率领团队在技术上的创新优势展露无遗,在某次技术PK中,他们用2个晶体管做出了韩国人6个晶体管才能达到的效果,并在各方专家的质疑声中通过测试验证,初露头角。

2005-2008年,朱一明花了三年的时间探索,最后选择专注NOR FLASH存储器芯片业务。但不幸的是,产品刚面试就爆发了全球金融危机。朱一明带领团队攻克技术难关,设计出“温度范围宽”和“高密度”的产品,战胜两家美国设计团队,最终获得一家日本大厂的订单得以度过这段困难时期。支撑朱一明以及团队一直走下去的,就是一颗实现“中国芯”的初心:我们不能无芯、无魂,核心技术都被人家掌握,国家是站不起来的。

 

2006年,朱一明带领团队实现第一颗基于SRAM技术的Terayon系列产品的量产。

2008-2009年,朱一明带领团队实现对具有通用SPI接口512Kb32MbNOR FLASH存储器芯片量产。

2010年,北京芯技佳易微电子科技有限公司更名为北京兆易创新科技有限公司。

 

面对海外存储器巨头的压制和客户的种种疑虑,在经历“摸黑爬过悬崖峭壁”的艰难岁月之后,朱一明和团队终于用坚持不懈、努力付出迎来了黎明的曙光。

2010年,兆易创新通过积极市场策略抢占ADSLDVD、机顶盒和U-Key市场,在串行闪存市场出货量超过1亿颗,营业收入突破1.5亿元。

2011年,兆易创新抓住串行闪存取代并行闪存的机会,在原有ADSL、数字机顶盒、DVD等消费电子市场上,积极推出适用于移动通信终端的NOR FLASH产品,为自身进一步发展赢得空间,在串行闪存市场上累计出货量超过4.7亿颗,营业收入突破3.2亿元,同比增长超过100%

2012年,兆易创新市场应用领域进一步扩展到智能电视、智能电表、网络设备、计算机以及周边设备等领域,并与三星、中兴通讯、英伟达、康佳、创维、富士康等优秀企业建立良好的合作关系。营业收入超过8.3亿元,同比增长超过150%当年度,兆易创新成为中国大陆最大的串行闪存芯片设计公司,也是最大的代码型芯片设计公司。当年度,兆易创新开始在中国大陆市场力压台湾人。

在手机领域,兆易创新市场份额占比54%,在中国大陆市场超过台湾省的旺宏电子(20%)、华邦电(17%)。

USB-Key领域,兆易创新市场份额占比40.9%,在中国大陆市场超过台湾省的晶豪科技(30.3%)。

DVD领域,兆易创新市场份额占比63.3%,在中国大陆市场超过台湾省的宜扬科技(29.8%)。

2013年,兆易创新出货量超过10亿颗以上全球市场占率达到22.4%,一举跻身全球前三强

2016年,兆易创新出货量超过16亿颗,公司营业收入将近15亿元,相比较2010年,同比增长将近10倍,成为全球串行闪存市场最大的Fabless芯片设计公司

短短数年之间,兆易创新在串行闪存领域,从中国大陆走向全球市场。

 

图:兆易创新2011-2016年串行闪存出货量和份额

 

事实上从创业之初,朱一明一直执着地坚持走自主创新与市场需求相结合的路子。2013年在海外巨头竞争更加激烈的ARM MCU市场,兆易创新发布14款基于ARM Cortex-M3内核的GD32F103系列32位通用微控制器MCU产品,杀入微控制器领域,开始拓展产品方向,寻找新的增长点和突破点。在兆易创新宣布推出自己的微控制器的同时,飞索通过收购富士通进入了微控制器领域,或许这是一种巧合,或许这是一种趋势,自此,存储器芯片厂商进入微控制器领域成为一种主流趋势。


20134月,兆易创新推出的GD32系列32位通用MCU,该成果是中国首个基于ARMCortex-M3内核(目前国际公认的技术架构)的32位通用微控制器,填补了国内相关领域空白,打破了欧美半导体巨头的垄断。

这场战斗中,兆易创新根据自身优势,充分分析和竞争对手的差距,和以往产品领域选择截然相反,选择的是ARM最成功的产品系列之一Cortex-M3内核,这是ARM应用的主流市场,也是MCU各路群雄逐鹿中原的必争之地。兆易创新的GD32F103系列产品的优势在于,它将微控制器的主频提高为108MHz,除了拥有高速的主控内核,在闪存上还运用了兆易创新自身独有的gFLASH专利技术,使得GD32F103系列产品实现了内核对闪存访问的零等待


根据DhrystonesCoreMark测试比较GD32F103系列产品的代码执行效率比“友商”同类产品提高了30-40%,同时还集成了丰富的外设功能,包括USB2.0CANLINLCD等通用接口,并可以连接串行闪存等外部存储器,以及多达16通道的12位高速ADCUSARTSPII2C,甚至多达80%的可用GPIO端口重映射功能等,从闪存容量和封装形式上可多种灵活选择。


2013年,兆易创新发布全球首款WSON8封装的SPI NAND FLASH产品SPI NAND FLASH具有体积小、引脚少、降低PCB制造成本、方便设计应用和降低电磁干扰(EMI)等特点,一经推出便迅速为市场所接受。

在市场推广方面,兆易创新沿用以往高性价比、快速切入的策略,瞄准汽车、工业自动化、变频控制、人机界面、电机控制、安防监控、智能家居、智能驾驶以及物联网IOT等各种市场。


2014年,兆易创新进入台湾省市场,在条码打印机、扫描器、扫地机器人、LED户外广告机显示以及部分工业与车用控制模组如车载诊断系统(On-Board Diagnostic)上获得不俗的战绩,中国台湾省成为兆易创新成长最快的几个重点海外市场之一。

2015-2016年,兆易创新陆续推出GD32F2增强型Cortex-M3GD32F450系列200MHz主频Cortex-M4MCUGD32F405/407互联型Cortex-M4 MCU等一系列产品。

20168月,兆易创新在上交所上市,创始人朱一明先生出任董事长。

20112016年,兆易创新全球市场份额从仅有的2.4%提升到7%以上,成为中国本土最大的NOR FLASH存储器芯片设计公司2017-2018年预计将进一步提升到10-15%

 

图:2016年全球NOR FLASH存储器营收占比份额


当前,国内本土集成电路芯片设计公司,特别是没有上市的创业公司,在融资渠道、工艺、技术和人才等方面,相对于海外巨头而言,我们仍处于明显的劣势条件下,兆易创新并没有一味的和海外巨头比拼先进技术,而是首先立足中国大陆市场,认清市场竞争格局,找准存储器细分市场的产品定位,集中优势兵力,伤其十指,不如断其一指压强原则,集中力量在中低端市场利出一孔依靠庞大的中低端市场的消费群体逐步提高自身市场份额,获得强大原始资本和技术积累后,再伺机杀入中高端市场以及进一步丰富、扩展产品线,进而构筑强大的“核心技术护城河”。


和国内本土其他集成电路芯片设计公司相比较,兆易创新首先掌握了自身企业发展运营的主动权,在庞大的中低端市场获取企业生存的契机,建立“革命根据地”,由小到大,再逐步渗透、蔓延到高端市场,不断通过“核心技术护城河”的构筑跟进,逐步消灭敌人,壮大自己,进而使得企业获得高速的发展并大放异彩。星星之火,可以燎原!

在产品横向扩展方面,兆易创新根据自身技术优势,认真分析竞争对手的优劣,灵活制定策略,加大科技红利之有效研发投入,在关键领域构筑自身“独门绝技”,以绝对优势兵力,正面战场一举击溃敌人。这就是我们在《科技红利大时代》系列报告中所提到的,科技红利转型,科技企业扩张的第一种方式“核心技术护城河延伸”。


无论是NOR FLASH市场,还是MCU市场,兆易创新都走出适合自身发展和壮大的扩张路径。武功再高,也怕菜刀;衣服再diao,一砖拍到。可以说,在许多国内本土集成电路芯片企业仍无意识趋同于海外竞争对手思维定式中,兆易创新演绎着一种具有中国特色的科技创新之路

这就是种花家最宝贵的经验,“农村包围城市”、“游击战”。华为技术能够从“七国八制乱中华”的中国通讯市场脱颖而出,杀出重围,最终杀向全球市场,也是充分学习和理解这一宝贵的经验。


2016年上市后的兆易创新,将获得更多的资源支持,开始从NOR FLASH转进到NAND FALSHDRAM内存芯片市场,生命不止、战斗不止,朱一明以及团队依旧保持着种花家半导体人“薪火相传”的精神-艰苦奋斗、自强不息、永不放弃、迎难而上!

 

十年时间,在朱一明以及团队的带领下,兆易创新在美韩日欧台等海外存储器芯片巨头中虎口夺食,实现中国本土存储器芯片的“零”的突破,成为中国本土最大的存储器芯片设计公司, 在全球半导体存储器芯片的高地上,插上了属于中国人自己的旗帜

 

兆易创新是中国大陆首家专业从事存储器以及相关芯片设计的集成电路设计公司,设计和研发了各种高速和中低功耗的存储器芯片,国内第一颗串行闪存、第一颗静态存储器和IP技术、第一款GigaROM产品均出自兆易创新之手,这开创中国存储器芯片设计的先河,也是中国存储器芯片发展史上最耀眼的一笔,这些都离不开创始人朱一明以及团队所付出的努力。

 

为什么选择存储器朱一明曾经说过:如果把计算机比喻为皇冠,那么,CPU就是皇冠上的明珠、存储器就是皇冠的底座。底座自然要更多的黄金珠宝。确实,存储器的市场是集成电路IC产业里最大的,占整个产业市场的35%。任何一个新工艺诞生,它做的第一个东西都是存储器。原因在于,所有逻辑器件的尺寸要求和设计规格都相对宽松,而存储器因为工艺线程过细,所以一旦工艺不够完善,就很难保证它的良率,因此存储器可以作为工艺成熟与否的标准。谁领导了存储器技术,谁就能称雄整个集成电路产业。随着半导体工艺走向深亚微米时代,各类存储器在集成电路中所占的比重逐渐增大。由于存储器架构设计和制造工艺的高难度,长期以来,该领域一直被三星、海力士、镁光、东芝等大牌国外厂商所占据。

 

人民领袖习主席曾说过:对集成电路产业一定要抓住不放实现跨越2016年刚上市的兆易创新,当年内就开启了对ISSI的收购,所指向的就是DRAM存储器,这一中国半导体工业最为薄弱的环节。

2017年,兆易创新公告收购ISSI失败,媒体报道主要是南亚科的干扰和反对。这一刻,许多关心中国半导体发展的种花家半导体人,心都揪起来了,难道历史又要重演当年“台积电打断种花家半导体DRAM崛起的历史进程”的一幕吗?

 

纵观全球三次DRAM世界大战,半导体大国、强国之崛起从没有祈求对手之施舍,要建立完整的、具有独立自主的核心技术体系,唯有亮剑!

 

2016年,媒体报道,中芯国际前CEO王宁国先生,来到了合肥,负责合肥长鑫(睿力)之500亿元投资的DRAM项目。

20161124号,兆易创新发布公告:合肥长鑫拟在合肥建立12寸晶圆产线,公司与合肥长鑫及其相关方就该项目表达了初步合作意向,但目前仅处于初期接触阶段。截至目前,相关合作事项的合作框架、模式、范围等均未确定,公司未签订任何合同、协议或其它具有约束性的文件,能否达成合作具有重大不确定性。

2017228号,兆易创新公告投资者调研报告:为下一步深化发展,公司和很多地方政府都有相应的接触,和国外的大公司也有过接触,总体上还是为了深化未来布局做探讨。公司和合肥长鑫有接触,目前还没有明确的结果,没有确定的协议或框架。

201733号,郑震湘正式发布30余万字的《中国半导体产业的思考—随笔》系列,最早指出全球半导体产业首次进入“半导体硅片需求和供给剪刀差2016-2017,最早指出全球半导体存储器芯片超级景气周期以及第四次全球半导体硅含量提升周期来临,给出半导体产业路径传导图,以“科技红利”思想研究和分析全球半导体和中国半导体产业的机会。


2017510号,曾经为中芯国际做出重大贡献的赵海军博士担任中芯国际CEO2010年,赵海军加入中芯国际,仅用一年时间就实现扭亏为盈。

2017829号,国家大基金通过协议转让,成为兆易创新第二大股东,持股比例11%

201796号,兆易创新和中芯国际发布《战略合作协议》,涉及合同金额在十数亿元以上。该协议,有利于巩固兆易创新和中芯国际之间长期多年的良好合作关系,进一步巩固双方的长期合作伙伴关系、增强公司竞争优势,有利于保障兆易创新长期稳定的产能供应。

20171028号,兆易创新公告,和合肥产业投资签署《关于存储器研发项目之合作协议》,约定双方在安徽省合肥市经济技术开发区合作开展工艺制程19nm存储器的12寸晶圆存储器(含DRAM等)研发项目,项目预算约为180亿元。

2017111号,兆易创新公告,重大事项停牌。

 

图:兆易创新之征程—中国本土最大的存储器芯片设计公司,实现中国本土存储器芯片的“零”的突破, 在全球半导体存储器芯片的高地上,插上属于中国人自己的一面旗帜

 

人民领袖习主席曾经指出,核心技术是国之重器,最关键最核心的技术要立足自主创新、自立自强。

兆易创新,国之重器,合肥,亮剑,剑指DRAM

这是中国人在全球半导体DRAM战争舞台上的第二次亮剑,这一刻,距离台积电打断中国人第一次DRAM崛起的历史进程,时光已经过去了8年。

这一刻,距离中国人第一次成功研制256K DRAM,时光已经过去24年。

这一刻,距离中国人第一次成功研制64K DRAM,时光已经过去32年。

这一刻,距离中国人第一次成功研制1K DRAM,时光已经过去42年,将近半个世纪的漫长等待,中国人再一次亮剑于全球DRAM战争舞台。

沧海桑田,这一刻,距离1950年朝鲜战争,新中国半导体工业开创之初,时光已经过去了67年。

 

图:中国人再次亮剑于全球DRAM战争舞台-兆易创新,合肥亮剑DRAM


今天,依旧有人会问“中国人为什么要自己做DRAM”,“产业竞争过大”,“中国人无法和海外大厂竞争”,呵呵。

人民领袖习主席高屋建瓴的强调“我们不做其他国家的技术附庸”!这就是种花家的回答!

习主席坚定指出:“只有把核心技术掌握在自己手中,才能真正掌握竞争和发展的主动权,才能从根本上保障国家经济安全、国防安全和其他安全。不能总是用别人的昨天来装扮自己的明天。不能总是指望依赖他人的科技成果来提高自己的科技水平,更不能做其他国家的技术附庸,永远跟在别人的后面亦步亦趋。”

 

种花家的亲们,永远不会忘记老一辈中国半导体人,为建立完整的、具有独立自主核心技术体系的中国半导体工业所做出巨大贡献。

 

图:不忘初心:中国半导体工业开创之初到“第一次大投入”


 新一代的种花家半导体人,在中国大陆半导体集成电路芯片领域“第二次大投入”,为建设中国半导体工业为全球半导体大国、强国,不忘初心、砥砺前行,开启科技立国、中国“芯”时代。

 

图:砥砺前行:科技立国,中国“芯”时代,中国人“第二次大投入”


科技立国,中国“芯”时代,这是新时代社会主义中国之基本国策

 20171018日,中国共产党召开全国第十九次代表大会,人民领袖习主席在大会报告中系统阐述了新时代中国特色社会主义思想和基本方略,特别是从战略高度强调创新是引领发展的第一动力是建设现代化经济体系的战略支撑,为新时代加快建设创新型国家和世界科技强国指明了方向。

新时代中国特色社会主义思想是全党全国人民为实现中华民族伟大复兴而奋斗的行动指南!

科技立国,这是新时代中国建设世界科技强国之路的战略,完整的、具有独立自主核心技术的中国半导体集成电路芯片产业是中国新时代发展的“芯”动力科技立国、中国“芯”时代,这是种花家的基本国策。


一直以来,以美国为首的西方列强操控“巴黎统筹委员会-瓦森纳协定”,对中国半导体产业发展全面封锁,从台积电发起对中芯国际的全球诉讼,进而打断中国半导体DRAM崛起的历史进程;到英国拒绝把ARM出售给中国人;到紫光并购镁光科技、西部数据的失败;再到南亚科干扰阻止兆易创新收购ISSI,在“巴黎统筹委员会-瓦森纳协定”的全面封锁之下,中国半导体产业的崛起之路仍很漫长,时至今日,中国半导体产业已经没有太多的捷径可走,中国人开启半导体集成电路芯片领域的“第二次大投入”的核心目标就是实现国有化、自主化。

国有化、自主化即是国策!也是亮剑!

 

“真正的核心技术,市场是换不来的,有钱也买不到的,必须靠自己研发、自己发展”,如人民领袖习主席强调的:我们不会拒绝任何新技术,问题是要搞清楚哪些是可以引进但必须安全可控的,哪些是可以引进消化吸收再创新的,哪些是可以同别人合作开发的,哪些是必须依靠自己的力量自主创新的

在日益激烈、复杂的全球半导体产业竞争中,中国人还是要瞄准培育完整的、具有独立自主核心技术的集成电路芯片产业,朝着培育和形成真正的自主创新能力的目标前进,真正在半导体集成电路芯片领域建立起属于种花家自己的民族自有品牌。对于必不可少的国际合作、技术引进和合资、并购等,也应符合具有独立自主核心技术的顶层设计,强调对国家安全和自主产业的风险控制与防范。

对于中国半导体产业而言,通过收购或并购的模式,可以节省一些时间,缩短和国外先进技术的路程,但是,对于收购或并购而言,首要仍是立足自己,重点是消化和吸收。在中国半导体工业崛起的历史进程中,“巴黎统筹委员会-瓦森纳协定”是一道封锁墙,对中国半导体工业而言,发展之路终究是依靠自己,独立自主的核心技术的重要性是不言而喻的,这也是党中央大力倡导半导体集成电路芯片产业国有化、自主化的主要原因,尤其是在“巴黎统筹委员会-瓦森纳协定”的封锁之下更是如此!这就是人民领袖习主席所强调的:核心技术是国之重器,最关键最核心的技术要立足自主创新、自立自强。

 

“要瞄准世界科技前沿,强化基础研究,实现前瞻性基础研究、引领性原创成果重大突破。”中国共产党十九大报告中关于科技的论述,让许多逐梦“中国梦”的种花家半导体人激动不已。以朱一明为代表的兆易创新人,以高效的执行力、时不我待的危机感和责任感,贯彻人民领袖习主席所强调的:对集成电路产业一定要抓住不放,实现跨越。2017年兆易创新,合肥,亮剑DRAM,中国人自己的DRAM芯片,这一中国半导体集成电路芯片领域最薄弱的环节,中国人再一次重返全球DRAM战争舞台。

 

万里长城家,一生唯报国。中华民族五千年浩渺深邃的传统优秀文化铸就了中华民族艰苦奋斗、自强不息、永不放弃、迎难而上的精神,这也是老一辈和新一代种花家半导体人为中国半导体工业崛起而奋斗拼搏的强大力量源泉。

“中华文化积淀着中华民族最深沉的精神追求,是中华民族生生不息、发展壮大的精神滋养。”人民领袖习主席的话,恰恰透视出种花家半导体人的精神实质。

种花家的亲们,当中国半导体工业崛起之时,当中国半导体建立完整的、具有独立自主核心技术的工业体系之时,当中国半导体DRAM崛起于全球DRAM世界战争的舞台上之时,种花家的亲们,永远不会忘记,曾经为中国半导体崛起而奋斗的老一辈半导体人和新一代半导体人。种花家的亲们,永远不会忘记,有更多的心怀“中国梦”的亲们,为中国半导体默默的耕耘和付出,以及为中国半导体工业崛起而奋斗的建设者。

 

张汝京先生1948年生于中国江苏南京,1949年随家人迁居中国台湾省。1970年毕业于中国台湾大学,获机械工程学士学位,并先后在纽约州立大学和南卫理公会大学获工程科学硕士与电子工程博士学位。最初在美国Union Caribide公司(美国联合碳化物公司)从事“硅烷法”工艺研究和工作。

1977年,先生入职半导体巨头德州仪器担任工程师,负责研发供空军使用的语音合成器。之后进入了德州仪器的核心部门,集成电路发明者之一杰克.基尔比所领导的DRAM团队,并一直在德州仪器工作了二十年。先生在德州仪器工作时期,参与组建了德州仪器在意大利、新加坡、泰国和中国台湾省DRAM工厂的建厂。直到1997年,德州仪器退出DRAM业务,先生返回中国台湾省开始创业。1997年,先生主导成立了世大半导体。世大半导体被台积电收购后,2000年在上海成立中芯国际,张汝京先生用了不到四年的时间,让中芯国际拥有四个8英寸厂,还有一个12英寸厂。

 

王宁国先生,生于1946年中国江苏南京,在中国台湾省长大,获美国加州伯克利的博士,曾工作于劳伦斯放射性实验室、贝尔实验室。80年代加入美国应用材料公司(Applied Materials),曾任职全球执行副总裁及亚洲区总裁。先生发明“精准5000”(Precision5000)半导体设备产品,被认为是半导体产业中最重要的里程碑,应用材料公司称其为有史以来最成功产品。1993年被美国历史博物馆之Smithsonian协会作为永久性收藏品。

2009-2011年,担任中芯国际CEO2016年,负责合肥DRAM项目建设。

 

丁文武先生,国家大基金总经理,先后出任信息产业部电子信息产品管理司副司长、工业和信息化部电子信息司副司长,2011816日任工业和信息化部电子信息司司长。

国家大基金是中国半导体集成电路芯片领域“第二次大投入”的主推手,作为大基金掌舵手的丁文武先生曾经提出四点意见,促进中国集成电路产业的发展。第一,加强规划引导、营造更加有利的产业自主可控发展环境;第二,集中力量突破核心关键技术,增强自主创新能力;第三,进一步推动产业结构调整,积极培育新增长点;第四,进一步落实扩大内需政策,均衡发展国内外市场。

作为掌舵手的丁文武先生推动国家大基金在半导体集成电路领域产业链横向、纵向一体化布局,为建立完整的、具有独立自主核心技术的中国半导体工业体系做出重大的促进作用。

 

王曦先生,中科院院士,中科院上海微系统与信息技术研究所所长,毕业于清华大学,中科院上海冶金所获得材料物理硕士和博士学位。国家中长期科学与技术发展规划“极大规模集成电路制造技术及成套工艺”科技重大专项总体专家组副组长,上海新傲科技公司董事长。致力于载能粒子束与固体相互作用物理现象的研究,研究项目覆盖先进电子材料和功能薄层材料的研究与开发以及表面工程等,主持完成了包括国家863计划“超大规模集成电路配套材料”重大专项项目在内的多个国家级项目。

创办的上海新傲科技,成为继美国、日本和法国后全球第四个最重要的SOI材料研发中心。2006年主持的“高端硅基SOI材料研究和产业化”项目获得国家科技进步一等奖,获得2007年中国科学院科技成就奖,2008年度“何梁何利基金科学与技术进步奖”。2008年制备出我国第一片8英寸SOI晶片,实现SOI晶片制备技术的重要突破。

中国共产党十八大、十九大代表,中国共产党第十九届中央委员会候补委员。

 

赵海军先生,毕业于清华大学微电子专业,获得博士学位,师从老一辈半导体人-李志坚院士、李瑞伟教授,两位老先生都是在1958年就开始在国内从事半导体研究的老前辈。毕业后,赵海军先生先后在新加坡微电子研究院、德州仪器、新加坡TECH半导体担任管理职务。

赵海军先生在清华大学微电子所和新加坡国家微电子院从事6CMOSBiCMOS器件与工艺研发和科研先导线的管理后,在海外最先进的晶圆厂从事集成电路前沿制造技术和生产管理十五年。先后担任晶圆厂和整个公司生产及技术的最高主管,其中6年为12寸晶圆厂,经验涵盖从0.35微米至40纳米的主流技术,包括DRAMFLASHCISSoC等。曾在茂德(ProMOS)任负责存储器事业群和大中华事业群的副总裁,并拥有四项国外专利。

2010年加盟中芯国际,上任一年就将中芯国际扭亏为盈,前瞻布局芯片生产线,将中芯国际的制造实力大幅提升。采取了四大措施,第一提升自主创新能力。第二挖掘产线潜力,增强灵魂性,优化产品结构。第三细化管理提升生产效率。第四以市场为纲,全面提高客户服务品质。2017年担任中芯国际CEO

 

朱一明先生,毕业于清华大学,获得本科学士、硕士。后留学美国,获得美国纽约州立大学石溪分校硕士。兆易创新之创始人、总裁兼CEO,中国存储器芯片领域的开拓者和领导者。2010 年获得了“海外高层次人才”的荣誉,并入选国家“千人计划”,被北京市授予“特聘专家”称号,被中共中央组织部与人力资源部和社会保障部授予“国家特聘专家”称号。

领导团队成功研制了国内第一颗移动高速存储芯片,成为国内第一家掌握该技术的公司,同时也是国际上唯一能按照国际标准为客户提供双管静态存储器IP授权的公司,他领导研发的国内第一颗串行闪存产品系列,是目前国内唯一具有商业化量产的存储器产品。

 

郑震湘先生,新财富分析师,7年微电子学和固体电子学专业的学习,本科毕业于浙江大学,研究生毕业于复旦大学。曾任职华为技术,后转型证券行业。201612月,正式发布《科技红利大时代》系列报告,首次指出中国科技产业将从“工程师红利”转型为“科技红利”,从有效研发投入、有效研发投入转换系数、压强系数等“科技红利”研究思想,详细阐述消费类电子大白马千亿市值的扩张路径。

201733号,正式发布《中国半导体产业的思考-随笔》系列报告,独立自主研究、思考全球半导体产业和中国半导体产业的发展趋势,最早指出全球半导体产业首次进入半导体硅片需求和供给剪刀差,最早指出全球存储器芯片超级景气周期以及第四次全球半导体硅含量提升周期来临,给出半导体产业路径传导图,以科技红利思想研究和分析中国半导体产业的机会。

 

康德曾经说过:世界上唯有两样东西让我们的心灵受到深深的震撼,一是我们头顶上灿烂的星空,一是我们心中崇高的道德法则”

这世上,唯有一种精神,能够兑现这种艰难的生命约定;这世上,唯有一种力量,能够背负起人生的使命;这世上,唯有一种信仰,能够支撑起岁月的航程。那就是,对伟大祖国无限的忠诚。这就是种花家半导体人内心深处最崇高的道德法则—中国梦

 

黄昆、谢希德、王守武、林兰英、李志坚等老一辈半导体人的“强国梦”;再到王阳元、江上舟、郑敏政、马启元、梁胜等第二代半导体人的时代呐喊—“我的中国芯”;再到张汝京、王宁国等海外游子归国的“赤子之心”,再到王曦、朱一明等新一代半导体人的“中国梦”,他们代表着所有种花家半导体人孜孜以求的中华民族伟大复兴之路的追求,他们的追求正是为祖国贡献一己之力,他们的梦想就是为实现中华民族伟大复兴之中国梦而努力奋斗。


此生无悔入华夏,来世愿在种花家。从“强国梦”到“我的中国芯”,再到“中国梦”,三代种花家半导体人把个人梦想融入到大国梦、复兴梦之中,心怀种花家,谱写出种花家半导体人的报国壮歌。

新一代中国半导体人,高举着新时代中国特色社会主义思想之伟大旗帜,在路上,不忘初心、砥砺前行。

新时代中国特色社会主义思想是全党全国人民为实现中华民族伟大复兴而奋斗的行动指南!

 

中国半导体人,为了建设完整的、具有独立自主核心技术的半导体工业体系,为建设种花家为半导体大国、强国而艰苦奋斗!自强不息!永不放弃!迎难而上!这种精神就是亮剑!

 

 

敬请您持续关注《中国半导体产业的思考-随笔》系列!

 

1:本文部分图表引用于互联网、公司公告

2:本文相关专利说明引用于互联网以及国家相关专利机构

3:本文相关公司信息引用于互联网,外媒、公司公告

4:本文相关行业数据来自国家统计局、工信部


Copyright © 上海证券公司联盟@2017